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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
差异
规格
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.4
18.0
写入速度,GB/s
9.2
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3669
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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