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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
89
左右 54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
89
读取速度,GB/s
13.4
14.2
写入速度,GB/s
9.2
7.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
1571
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB RAM的比较
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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