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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
51
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
51
读取速度,GB/s
13.4
16.3
写入速度,GB/s
9.2
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2945
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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