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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
64
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
64
读取速度,GB/s
13.4
16.6
写入速度,GB/s
9.2
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2065
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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