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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.4
14.0
写入速度,GB/s
9.2
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2163
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8F 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
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