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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14200
左右 1.35 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
15.2
18.6
写入速度,GB/s
9.3
15.1
内存带宽,mbps
14200
19200
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3561
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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