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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
15.2
13.2
写入速度,GB/s
9.3
9.1
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
1989
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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