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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
14200
左右 1.65 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
43
读取速度,GB/s
15.2
15.0
写入速度,GB/s
9.3
13.0
内存带宽,mbps
14200
23400
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
2794
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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