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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
总分
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.8
15.3
写入速度,GB/s
10.4
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2751
3219
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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