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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
16.2
18.2
写入速度,GB/s
10.7
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
3538
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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