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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

总分
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

总分
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 35
    左右 -94% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.8 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.6 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 20.8
  • 写入速度，GB/s
    10.7 left arrow 16.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2726 left arrow 3650

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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