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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
16.2
17.4
写入速度,GB/s
10.7
13.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
3576
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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