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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
44
读取速度,GB/s
16.2
14.2
写入速度,GB/s
10.7
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
3145
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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