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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
16.2
15.1
写入速度,GB/s
10.7
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
2914
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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