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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
16.2
17.2
写入速度,GB/s
10.7
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
3311
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB RAM的比较
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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