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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
96
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
96
读取速度,GB/s
16.2
10.5
写入速度,GB/s
10.7
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
1211
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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