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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
16.2
13.7
写入速度,GB/s
10.7
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
2558
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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