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Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
比较
Kingston KHX2666C15/8G 8GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
50
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
50
读取速度,GB/s
14.9
10.0
写入速度,GB/s
10.1
7.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2519
2159
Kingston KHX2666C15/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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