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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
48
读取速度,GB/s
16.2
16.8
写入速度,GB/s
12.5
15.7
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
3047
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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