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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
38
读取速度,GB/s
16.2
15.9
写入速度,GB/s
12.5
15.1
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
3264
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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