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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
17000
左右 1.38 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
43
读取速度,GB/s
16.2
15.0
写入速度,GB/s
12.5
13.0
内存带宽,mbps
17000
23400
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
2794
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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