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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

总分
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

总分
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 63
    左右 49% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 8.8
    测试中的平均数值
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    32 left arrow 63
  • 读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3084 left arrow 2061

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
内存RAM
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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