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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
18.2
17.2
写入速度,GB/s
14.9
13.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3142
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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