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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
17.3
写入速度,GB/s
14.9
13.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3134
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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