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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
18.2
14.4
写入速度,GB/s
14.9
10.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2497
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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