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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
18.2
17.4
写入速度,GB/s
14.9
12.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3085
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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