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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
18.2
17.6
写入速度,GB/s
14.9
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3564
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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