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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
16.2
写入速度,GB/s
14.9
12.0
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
2950
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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