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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
71
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
71
读取速度,GB/s
18.2
15.5
写入速度,GB/s
14.9
8.3
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
1902
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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