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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.4
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
18.2
20.6
写入速度,GB/s
14.9
18.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3826
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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