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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
18.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
18.8
写入速度,GB/s
14.9
14.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3611
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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