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Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,465.0
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
53
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
39
读取速度,GB/s
5,169.8
14.3
写入速度,GB/s
2,465.0
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
781
2159
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8ECU0-GN-F 8GB
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