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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
9.3
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2317
2914
Kingston KP4T2F-PSB 4GB RAM的比较
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
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