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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

总分
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB 需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,410.6 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 61
    左右 -135% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    61 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,230.0 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    2,410.6 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    754 left arrow 3124

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB RAM的比较

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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内存RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
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