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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,410.6
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
61
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
26
读取速度,GB/s
4,230.0
20.5
写入速度,GB/s
2,410.6
16.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
3687
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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