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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,410.6
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
61
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
30
读取速度,GB/s
4,230.0
17.1
写入速度,GB/s
2,410.6
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
3014
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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