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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,410.6
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
61
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
34
读取速度,GB/s
4,230.0
14.8
写入速度,GB/s
2,410.6
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
2588
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB RAM的比较
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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