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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
9.5
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3009
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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