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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.9
18.3
写入速度,GB/s
9.5
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3454
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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