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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.9
16.5
写入速度,GB/s
9.5
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3128
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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