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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
13.9
17.0
写入速度,GB/s
9.5
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3408
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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