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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
9.5
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2972
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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