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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

总分
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

总分
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Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 29
    左右 10% 更低的延时
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.1 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 18.1
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2432 left arrow 3485

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较

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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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内存RAM
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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内存RAM
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Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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