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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
13.9
20.0
写入速度,GB/s
9.5
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3462
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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