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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.9
18.5
写入速度,GB/s
9.5
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3731
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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