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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.9
19.2
写入速度,GB/s
9.5
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3698
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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