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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
13.9
16.3
写入速度,GB/s
9.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2893
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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