RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
13.9
15.2
写入速度,GB/s
9.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2740
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link