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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
9.5
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3563
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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