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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
9.5
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
3195
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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